IDH08G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 327.48 грн |
| 50+ | 160.06 грн |
| 100+ | 145.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Current - Average Rectified (Io): 22.8A, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IDH08G120C5XKSA1 за ціною від 112.77 грн до 334.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDH08G120C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.67 грн |
| 10+ | 163.73 грн |
| 100+ | 131.10 грн |
| 500+ | 120.53 грн |
| 1000+ | 112.77 грн |