IDH08G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH08G120C5XKSA1 за ціною від 126.87 грн до 454.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDH08G120C5XKSA1 THT Schottky diodes |
товар відсутній |