IDH08G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDH08G120C5XKSA1 за ціною від 121.61 грн до 360.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH08G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; PG-TO220-2; Ir: 3uA Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3µA Max. forward voltage: 1.65V Load current: 8A Max. forward impulse current: 70A Power dissipation: 126W Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: PG-TO220-2 |
товару немає в наявності |