IDH08G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDH08G65C5XKSA2 за ціною від 82.02 грн до 241.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IDH08G65C5XKSA2 Код товару: 188944
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IDH08G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |