IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 175.94 грн |
| 5+ | 113.43 грн |
| 10+ | 104.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 37A, Leakage current: 62µA, Power dissipation: 63W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.
Інші пропозиції IDH08G65C6XKSA1 за ціною від 273.79 грн до 380.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G65C6 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDH08G65C6 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 380.76 грн |
| 39+ | 364.41 грн |
| 50+ | 350.52 грн |
| 100+ | 326.54 грн |
| 250+ | 293.18 грн |
| 500+ | 273.79 грн |