IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.52 грн |
| 10+ | 227.58 грн |
| 25+ | 142.72 грн |
| 100+ | 132.42 грн |
| 500+ | 110.35 грн |
| 1000+ | 94.17 грн |
| 5000+ | 93.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDH08G65C6XKSA1 за ціною від 113.42 грн до 309.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDH08G65C6 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |