IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 174.31 грн |
| 5+ | 112.38 грн |
| 10+ | 103.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH08G65C6XKSA1 за ціною від 130.05 грн до 372.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 320.58 грн |
| 10+ | 203.79 грн |
| 50+ | 158.67 грн |
| 100+ | 135.28 грн |
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 343.89 грн |
| 75+ | 189.48 грн |
| 76+ | 187.65 грн |
| 100+ | 166.96 грн |
| 500+ | 130.05 грн |
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 346.69 грн |
| 10+ | 191.02 грн |
| 50+ | 189.18 грн |
| 100+ | 168.32 грн |
| 500+ | 131.11 грн |
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 372.69 грн |
| 10+ | 195.29 грн |
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)