IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.98 грн |
| 50+ | 121.38 грн |
| 100+ | 109.85 грн |
| 500+ | 84.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220, Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Current - Average Rectified (Io): 20A, Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IDH08G65C6XKSA1 за ціною від 76.12 грн до 259.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDH08G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.02 грн |
| 10+ | 126.45 грн |
| 100+ | 99.38 грн |
| 500+ | 82.46 грн |
| 1000+ | 76.12 грн |