IDH08SG60CXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH08SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDH08SG60CXKSA2 за ціною від 138.83 грн до 468.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; 100W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Power dissipation: 100W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 42A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 0.6µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IDH08SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; 100W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Power dissipation: 100W Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 42A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 0.6µA |
товар відсутній |