IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.91 грн |
| 10+ | 324.74 грн |
| 25+ | 158.97 грн |
| 100+ | 152.69 грн |
| 250+ | 152.00 грн |
| 500+ | 148.51 грн |
| 1000+ | 120.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH10G120C5XKSA1 за ціною від 178.96 грн до 362.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH10G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|