IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 138.83 грн |
| 50+ | 137.44 грн |
| 100+ | 131.34 грн |
| 500+ | 119.55 грн |
| 1000+ | 101.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDH10G65C5XKSA2 за ціною від 101.18 грн до 331.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IDH10G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |