Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH10G65C5XKSA2
IDH10G65C5XKSA2

IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies

infineonidh10g65c5dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+141.35 грн
50+139.94 грн
100+133.72 грн
500+121.72 грн
1000+102.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDH10G65C5XKSA2 за ціною від 103.02 грн до 317.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh10g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.55 грн
101+140.13 грн
106+133.91 грн
500+121.88 грн
1000+103.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh10g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH10G65C5_DS_v02_02_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.36 грн
10+156.44 грн
100+123.34 грн
500+121.23 грн
1000+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5XKSA2 INFINEON IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169 Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.36 грн
10+158.70 грн
100+143.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.17 грн
50+156.70 грн
100+142.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 infineonidh10g65c5dsv0202en.pdf
IDH10G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+141.55 грн
101+140.13 грн
106+133.91 грн
500+121.88 грн
1000+103.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 infineonidh10g65c5dsv0202en.pdf
IDH10G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+190.85 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 Infineon_IDH10G65C5_DS_v02_02_en.pdf
IDH10G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+308.36 грн
10+156.44 грн
100+123.34 грн
500+121.23 грн
1000+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169
IDH10G65C5XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+308.36 грн
10+158.70 грн
100+143.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169
IDH10G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+317.17 грн
50+156.70 грн
100+142.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.