IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDH10G65C6XKSA1 за ціною від 131.44 грн до 355.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH10G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V |
на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH10G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 5331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH10G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH10G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 72W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward voltage: 1.25V Load current: 10A Leakage current: 77µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IDH10G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 72W; PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Max. forward voltage: 1.25V Load current: 10A Leakage current: 77µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 44A |
товар відсутній |