IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 433.36 грн |
| 50+ | 219.83 грн |
| 100+ | 200.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH10SG60CXKSA2 за ціною від 284.21 грн до 724.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IDH10SG60CXKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH10SG60CXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation SiC Schottky Diode
3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 510.65 грн |
| 10+ | 468.96 грн |
| 25+ | 453.78 грн |
| 50+ | 404.15 грн |
| 100+ | 351.15 грн |
| 250+ | 315.06 грн |
| 500+ | 284.21 грн |
| IDH10SG60CXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation SiC Schottky Diode
3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 600.17 грн |
| 27+ | 539.48 грн |
| 28+ | 506.61 грн |
| 50+ | 457.63 грн |
| 100+ | 394.38 грн |
| 250+ | 350.42 грн |
| IDH10SG60CXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation SiC Schottky Diode
3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 724.86 грн |
| 27+ | 529.01 грн |
| 50+ | 469.30 грн |
| 100+ | 424.90 грн |
| 200+ | 371.04 грн |
| 500+ | 331.64 грн |
| 1000+ | 311.17 грн |
| IDH10SG60CXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH10SG60CXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





