IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies


Infineon-IDH10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011ff4d3f3a2532e
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+452.78 грн
50+230.70 грн
100+210.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDH10SG60CXKSA2 за ціною від 286.76 грн до 731.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.23 грн
10+473.17 грн
25+457.85 грн
50+407.78 грн
100+354.30 грн
250+317.88 грн
500+286.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+605.56 грн
27+544.32 грн
28+511.15 грн
50+461.73 грн
100+397.91 грн
250+353.56 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies idh10sg60c_rev2.3.pdf 3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+731.36 грн
27+533.75 грн
50+473.51 грн
100+428.72 грн
200+374.37 грн
500+334.61 грн
1000+313.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH10SG60C_DS_v02_04_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 idh10sg60c_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+515.23 грн
10+473.17 грн
25+457.85 грн
50+407.78 грн
100+354.30 грн
250+317.88 грн
500+286.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 idh10sg60c_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+605.56 грн
27+544.32 грн
28+511.15 грн
50+461.73 грн
100+397.91 грн
250+353.56 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 idh10sg60c_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
3rd Generation SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+731.36 грн
27+533.75 грн
50+473.51 грн
100+428.72 грн
200+374.37 грн
500+334.61 грн
1000+313.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 Infineon_IDH10SG60C_DS_v02_04_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 INFNS19747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.