IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 411.09 грн |
| 10+ | 215.75 грн |
| 100+ | 170.99 грн |
| 500+ | 161.99 грн |
| 1000+ | 143.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH10SG60CXKSA2 за ціною від 203.18 грн до 716.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon |
DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
товару немає в наявності |