IDH12G65C5 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 477.14 грн |
| 27+ | 456.64 грн |
| 50+ | 439.24 грн |
| 100+ | 409.18 грн |
| 250+ | 367.38 грн |
| 500+ | 343.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH12G65C5 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W, Case: PG-TO220-2, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.8V, Load current: 12A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 83A, Leakage current: 2.4µA, Power dissipation: 104W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Heatsink thickness: 1.17...137mm, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IDH12G65C5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IDH12G65C5 Код товару: 165219
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товару немає в наявності
|
|||
| IDH12G65C5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 83A Leakage current: 2.4µA Power dissipation: 104W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...137mm Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IDH12G65C5 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
товару немає в наявності |
|
| IDH12G65C5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 83A Leakage current: 2.4µA Power dissipation: 104W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...137mm Mounting: THT |
товару немає в наявності |