IDH12G65C5


товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IDH12G65C5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDH12G65C5 IDH12G65C5 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDH12G65C5-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 83A
Leakage current: 2.4µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IDH12G65C5 IDH12G65C5 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDH12G65C5-DS-v02_02-en-1226664.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товар відсутній
IDH12G65C5 IDH12G65C5 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDH12G65C5-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 83A
Leakage current: 2.4µA
товар відсутній