IDH12G65C5XKSA2
Код товару: 177295
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDH12G65C5XKSA2 за ціною від 127.19 грн до 473.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 18nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.44 грн |
| 50+ | 177.67 грн |
| 100+ | 161.83 грн |
| 500+ | 127.19 грн |
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 473.22 грн |
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH12G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





