IDH12G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH12G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IDH12G65C5XKSA2 за ціною від 174.6 грн до 409.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH12G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH12G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH12G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 3971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDH12G65C5XKSA2 Код товару: 177295 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|