IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V.
Інші пропозиції IDH12G65C6XKSA1 за ціною від 154.56 грн до 370.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH12G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH12G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 17.1 Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH12G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDH12G65C6XKSA1 Код товару: 150354 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
IDH12G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 81W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 92µA Power dissipation: 81W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IDH12G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 81W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 51A Leakage current: 92µA Power dissipation: 81W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...1.37mm |
товар відсутній |