IDH12G65C6XKSA1
Код товару: 150354
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDH12G65C6XKSA1 за ціною від 109.25 грн до 382.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDH12G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.61 грн |
| 10+ | 155.63 грн |
| 100+ | 133.92 грн |
| 500+ | 110.66 грн |
| 1000+ | 109.25 грн |
| IDH12G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 382.98 грн |
| 50+ | 192.05 грн |
| 100+ | 175.09 грн |