IDH12G65C6XKSA1


Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4b8049d2de5
Код товару: 150354
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IDH12G65C6XKSA1 за ціною від 169.97 грн до 371.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4b8049d2de5 Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.78 грн
50+186.43 грн
100+169.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0003614499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4b8049d2de5
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+371.78 грн
50+186.43 грн
100+169.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 INFN-S-A0003614499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.