IDH12SG60CXKSA2 Infineon Technologies


Infineon-IDH12SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fad82e993468c
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+439.28 грн
50+224.87 грн
100+205.76 грн
500+161.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH12SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 19nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDH12SG60CXKSA2 за ціною від 177.62 грн до 543.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH12SG60CXKSA2 IDH12SG60CXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH12SG60C_DS_v02_03_en-1131090.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.53 грн
10+493.62 грн
25+231.18 грн
100+219.20 грн
500+179.03 грн
1000+177.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 IDH12SG60CXKSA2 INFINEON Infineon-IDH12SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fad82e993468c Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.54 грн
10+288.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 Infineon_IDH12SG60C_DS_v02_03_en-1131090.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+506.53 грн
10+493.62 грн
25+231.18 грн
100+219.20 грн
500+179.03 грн
1000+177.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 Infineon-IDH12SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fad82e993468c
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+543.54 грн
10+288.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.