IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDH16G65C5XKSA2 за ціною від 203.26 грн до 464.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH16G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH16G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 5421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|