Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH16G65C5XKSA2
IDH16G65C5XKSA2

IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies

infineonidh16g65c5dsv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+236.76 грн
50+234.88 грн
100+227.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції IDH16G65C5XKSA2 за ціною від 162.11 грн до 514.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh16g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.76 грн
61+234.88 грн
100+227.80 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh16g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies Infineon-IDH16G65C5-DS-v02_02-en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.19 грн
10+238.30 грн
100+187.48 грн
500+162.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.61 грн
50+264.91 грн
100+242.67 грн
500+191.18 грн
1000+189.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 infineonidh16g65c5dsv0202en.pdf
IDH16G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
60+236.76 грн
61+234.88 грн
100+227.80 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 infineonidh16g65c5dsv0202en.pdf
IDH16G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+286.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 Infineon-IDH16G65C5-DS-v02_02-en.pdf
IDH16G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+420.19 грн
10+238.30 грн
100+187.48 грн
500+162.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1
IDH16G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+514.61 грн
50+264.91 грн
100+242.67 грн
500+191.18 грн
1000+189.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.