IDH16G65C6XKSA1
Код товару: 150355
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDH16G65C6XKSA1 за ціною від 178.65 грн до 519.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 7546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDH16G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 439.63 грн |
| 37+ | 392.48 грн |
| 50+ | 372.45 грн |
| 100+ | 348.92 грн |
| 200+ | 315.70 грн |
| 500+ | 292.97 грн |
| 1000+ | 283.88 грн |
| IDH16G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 519.19 грн |
| 50+ | 267.98 грн |
| 100+ | 245.65 грн |
| 500+ | 193.84 грн |
| 1000+ | 182.07 грн |
| 2000+ | 178.65 грн |
| IDH16G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 7546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH16G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH16G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





