IDH16G65C6XKSA1
Код товару: 150355
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDH16G65C6XKSA1 за ціною від 139.55 грн до 431.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V |
на замовлення 7006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 7546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IDH16G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 97W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 65A Leakage current: 123µA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm Power dissipation: 97W |
товару немає в наявності |