IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies


infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
85+417.23 грн
100+396.02 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 82nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDH20G120C5XKSA1 за ціною від 236.12 грн до 574.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+463.15 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+476.41 грн
50+418.53 грн
100+392.11 грн
500+329.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G120C5-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+515.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.34 грн
5+474.47 грн
10+389.77 грн
50+347.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDH20G120C5_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.32 грн
10+321.79 грн
100+257.97 грн
500+257.26 грн
1000+236.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH20G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97b198d641f6 Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.08 грн
50+299.70 грн
100+275.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+463.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+463.15 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 infineon-idh20g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+476.41 грн
50+418.53 грн
100+392.11 грн
500+329.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+515.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 INFN-S-A0001300545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+558.34 грн
5+474.47 грн
10+389.77 грн
50+347.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 Infineon_IDH20G120C5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+572.32 грн
10+321.79 грн
100+257.97 грн
500+257.26 грн
1000+236.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 Infineon-IDH20G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97b198d641f6
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+574.08 грн
50+299.70 грн
100+275.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.