IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 656.75 грн |
| 50+ | 504.77 грн |
| 100+ | 451.63 грн |
| 500+ | 373.98 грн |
| 1000+ | 336.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH20G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 56A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH20G120C5XKSA1 за ціною від 454.35 грн до 728.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH20G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDH20G120C5XKSA1 THT Schottky diodes |
товар відсутній |