IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDH20G65C5XKSA2 за ціною від 228.49 грн до 540.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDH20G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |