IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 523.33 грн |
| 50+ | 270.42 грн |
| 100+ | 247.96 грн |
| 500+ | 195.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDH20G65C5XKSA2 за ціною від 206.51 грн до 527.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDH20G65C5XKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.09 грн |
| 10+ | 290.99 грн |
| 100+ | 231.89 грн |
| 500+ | 206.51 грн |