IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 386.67 грн |
| 10+ | 287.04 грн |
| 25+ | 284.22 грн |
| 50+ | 271.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IDH20G65C5XKSA2 за ціною від 240.79 грн до 659.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDH20G65C5XKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH20G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 386.67 грн |
| 50+ | 284.22 грн |
| 51+ | 271.34 грн |
| IDH20G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 632.14 грн |
| 10+ | 413.77 грн |
| 50+ | 330.36 грн |
| 100+ | 284.85 грн |
| 500+ | 240.79 грн |
| IDH20G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 654.12 грн |
| 37+ | 384.53 грн |
| 50+ | 367.10 грн |
| 100+ | 323.05 грн |
| 250+ | 307.00 грн |
| IDH20G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 659.45 грн |
| 10+ | 391.53 грн |
| 25+ | 387.67 грн |
| 50+ | 370.09 грн |
| 100+ | 325.68 грн |
| 250+ | 309.50 грн |
| IDH20G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





