IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 41A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V.
Інші пропозиції IDH20G65C6XKSA1 за ціною від 193.81 грн до 725.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: CoolSiC 6G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |