IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 257.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDH20G65C6XKSA1 за ціною від 224.79 грн до 858.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
на замовлення 3184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 518.26 грн |
| 50+ | 456.77 грн |
| 100+ | 413.76 грн |
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 518.26 грн |
| 50+ | 456.77 грн |
| 100+ | 413.76 грн |
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 586.97 грн |
| 10+ | 385.04 грн |
| 50+ | 307.80 грн |
| 100+ | 265.56 грн |
| 500+ | 224.79 грн |
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 857.13 грн |
| 50+ | 466.71 грн |
| 100+ | 429.07 грн |
| 500+ | 350.22 грн |
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 858.30 грн |
| 50+ | 467.35 грн |
| 100+ | 429.66 грн |
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)