IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies


938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+256.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDH20G65C6XKSA1 за ціною від 218.53 грн до 854.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+515.97 грн
50+454.75 грн
100+411.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+515.97 грн
50+454.75 грн
100+411.93 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce398a23b0556 Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.44 грн
50+316.54 грн
100+291.02 грн
500+231.18 грн
1000+218.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.34 грн
50+464.65 грн
100+427.17 грн
500+348.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+854.51 грн
50+465.28 грн
100+427.75 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDH20G65C6_DS_v02_00_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 INFINEON 2343079.pdf Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+515.97 грн
50+454.75 грн
100+411.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+515.97 грн
50+454.75 грн
100+411.93 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 Infineon-IDH20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce398a23b0556
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+603.44 грн
50+316.54 грн
100+291.02 грн
500+231.18 грн
1000+218.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+853.34 грн
50+464.65 грн
100+427.17 грн
500+348.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+854.51 грн
50+465.28 грн
100+427.75 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 Infineon_IDH20G65C6_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 2343079.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.