Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH20G65C6XKSA1
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies

938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 41A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V.

Інші пропозиції IDH20G65C6XKSA1 за ціною від 234.68 грн до 702.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+522.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDH20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce398a23b0556 Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.85 грн
50+270.07 грн
100+247.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDH20G65C6_DS_v02_00_EN-1131270.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.48 грн
10+323.19 грн
100+258.96 грн
500+234.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : INFINEON 2343079.pdf Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+702.32 грн
5+660.23 грн
10+618.14 грн
50+531.07 грн
100+449.90 грн
250+438.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 108W
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 108W
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Max. forward voltage: 1.25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.