IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.87 грн |
| 10+ | 179.66 грн |
| 100+ | 145.33 грн |
| 500+ | 121.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 11.8A, Supplier Device Package: PG-TO263-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDK02G120C5XTMA1 за ціною від 155.16 грн до 247.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | IDK02G120C5XTMA1 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
товар відсутній |