IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 43.45 грн |
| 308+ | 42.22 грн |
| 311+ | 41.79 грн |
| 315+ | 39.84 грн |
| 322+ | 36.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDK02G120C5XTMA1 за ціною від 37.11 грн до 202.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |