IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 46.98 грн |
| 308+ | 45.64 грн |
| 311+ | 45.18 грн |
| 315+ | 43.07 грн |
| 322+ | 39.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDK02G120C5XTMA1 за ціною від 37.44 грн до 197.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDK02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.97 грн |
| 16+ | 46.98 грн |
| 17+ | 45.64 грн |
| 25+ | 43.57 грн |
| 100+ | 39.88 грн |
| 250+ | 37.44 грн |
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 129.86 грн |
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 140.49 грн |
| 500+ | 126.44 грн |
| 1000+ | 116.61 грн |
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 165.78 грн |
| 100+ | 164.84 грн |
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.82 грн |
| 10+ | 112.22 грн |
| 100+ | 82.02 грн |
| 500+ | 66.00 грн |
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDK02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





