Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDK02G120C5XTMA1
IDK02G120C5XTMA1

IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

infineonidk02g120c5datasheetv0201en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+40.51 грн
308+39.35 грн
311+38.95 грн
315+37.14 грн
322+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDK02G120C5XTMA1 за ціною від 34.59 грн до 213.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonidk02g120c5datasheetv0201en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+78.49 грн
16+43.40 грн
17+42.16 грн
25+40.25 грн
100+36.84 грн
250+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON 3154653.pdf Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonidk02g120c5datasheetv0201en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonidk02g120c5datasheetv0201en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonidk02g120c5datasheetv0201en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+142.93 грн
100+142.12 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON 3154653.pdf Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.49 грн
10+125.54 грн
100+98.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.21 грн
10+119.25 грн
100+87.16 грн
500+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDK02G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361681.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.48 грн
10+131.30 грн
100+80.91 грн
500+70.25 грн
1000+60.64 грн
2000+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonidk02g120c5datasheetv0201en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idk02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 11.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 IDK02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Description: DIODE SIC 1.2KV 11.8A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDK02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0ba7b0f38 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 6µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.