
IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 77.19 грн |
10+ | 69.66 грн |
25+ | 69.64 грн |
100+ | 66.44 грн |
250+ | 60.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDK02G120C5XTMA1 за ціною від 65.53 грн до 204.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 6µA Max. forward impulse current: 31A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 75W кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IDK02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 75W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 6µA Max. forward impulse current: 31A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 75W |
товару немає в наявності |