IDK02G65C5XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 373+ | 83.51 грн |
| 500+ | 75.16 грн |
| 1000+ | 69.31 грн |
| 10000+ | 59.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK02G65C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK02G65C5XTMA1 за ціною від 34.96 грн до 83.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 650V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDK02G65C5XTMA1 SMD Schottky diodes |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK02G65C5XTMA1 - IDK02G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
 |
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2632 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
товару немає в наявності |