
IDK02G65C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 32.93 грн |
14+ | 29.36 грн |
25+ | 27.98 грн |
84+ | 27.75 грн |
100+ | 26.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK02G65C5XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK02G65C5XTMA1 за ціною від 32.11 грн до 81.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 2A; 36W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 0.1µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 36W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
IDK02G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |