Продукція > INFINEON > IDK02G65C5XTMA2
IDK02G65C5XTMA2

IDK02G65C5XTMA2 INFINEON


INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK02G65C5XTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 4nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDK02G65C5XTMA2 за ціною від 67.48 грн до 160.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 130328325927697infineon-idk02g65c5-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a304342c787030142e6f.pdf Diode Schottky 650V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+107.92 грн
131+93.32 грн
152+80.41 грн
200+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.73 грн
10+91.99 грн
100+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK02G65C5-DS-v02_01-EN-1225826.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.01 грн
10+141.03 грн
25+113.20 грн
100+96.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Infineon-IDK02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142e6f880f921bd
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 130328325927697infineon-idk02g65c5-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a304342c787030142e6f.pdf Diode Schottky 650V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142e6f880f921bd Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142e6f880f921bd Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 330 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.