IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 347+ | 64.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK03G65C5XTMA2 за ціною від 64.59 грн до 164.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |