Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDK03G65C5XTMA2
IDK03G65C5XTMA2

IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies

5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
526+23.67 грн
534+23.31 грн
543+22.94 грн
551+21.77 грн
560+19.83 грн
570+18.73 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V.

Інші пропозиції IDK03G65C5XTMA2 за ціною від 19.73 грн до 180.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.64 грн
28+25.75 грн
29+24.08 грн
50+21.95 грн
100+20.73 грн
250+20.40 грн
500+20.06 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 10297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
384+81.03 грн
500+77.57 грн
1000+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 5335271488527520dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304342e8be2.pdf Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
384+81.03 грн
500+77.57 грн
1000+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDK03G65C5_DS_v02_01_EN-3163481.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.83 грн
10+160.60 грн
25+117.40 грн
100+112.79 грн
250+102.82 грн
500+85.17 грн
1000+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0003614982-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK03G65C5XTMA2 - IDK03G65C5 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK03G65C5XTMA2 IDK03G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK03G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb7618470089 Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.