IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 526+ | 23.17 грн |
| 534+ | 22.81 грн |
| 543+ | 22.45 грн |
| 551+ | 21.31 грн |
| 560+ | 19.41 грн |
| 570+ | 18.33 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK03G65C5XTMA2 за ціною від 16.73 грн до 171.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 10297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK03G65C5XTMA2 - IDK03G65C5 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IDK03G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |