IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 526+ | 26.86 грн |
| 534+ | 26.45 грн |
| 543+ | 26.03 грн |
| 551+ | 24.70 грн |
| 560+ | 22.50 грн |
| 570+ | 21.25 грн |
| 1000+ | 20.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK03G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK03G65C5XTMA2 за ціною від 20.89 грн до 91.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDK03G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDK03G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO263-2 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDK03G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 10297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDK03G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDK03G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IDK03G65C5XTMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK03G65C5XTMA2 - IDK03G65C5 - COOLSIC SCHOTTKY DIODEtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 297 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDK03G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.75 грн |
| 28+ | 27.27 грн |
| 29+ | 25.50 грн |
| 50+ | 23.24 грн |
| 100+ | 21.96 грн |
| 250+ | 21.60 грн |
| 500+ | 21.25 грн |
| 1000+ | 20.89 грн |
| IDK03G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 347+ | 64.39 грн |
| IDK03G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 10297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 384+ | 91.94 грн |
| 500+ | 88.02 грн |
| 1000+ | 83.13 грн |
| IDK03G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
Diode Schottky 650V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 384+ | 91.94 грн |
| 500+ | 88.02 грн |
| 1000+ | 83.13 грн |
| IDK03G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDK03G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK03G65C5XTMA2 - IDK03G65C5 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK03G65C5XTMA2 - IDK03G65C5 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





