IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 57.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK04G65C5XTMA2 за ціною від 84.57 грн до 188.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK04G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDK04G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK04G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V |
товар відсутній |