IDK04G65C5XTMA2

IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies


5335453280611373infineon-idk04g65c5-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a304342e8be2c0142eb9.pdf Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V.

Інші пропозиції IDK04G65C5XTMA2 за ціною від 58.42 грн до 145.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDK04G65C5_DS_v02_01_EN-1731481.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.59 грн
10+98.75 грн
100+73.02 грн
500+64.88 грн
1000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.28 грн
10+116.13 грн
100+92.44 грн
500+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 670 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.