IDK05G120C5XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDK05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.55 грн |
| 10+ | 165.07 грн |
| 100+ | 130.36 грн |
| 500+ | 96.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK05G120C5XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDK05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDK05G120C5XTMA1 за ціною від 109.17 грн до 425.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 19.1A TO263-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 19.1A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDK05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IDK05G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDK05G120C5XTMA1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IDK05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 19.1A TO263-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 19.1A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |