на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 115.63 грн |
| 500+ | 110.56 грн |
| 1000+ | 104.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK05G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDK05G65C5XTMA2 за ціною від 104.47 грн до 268.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDK05G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 650V SiC Schottky Diode |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDK05G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDK05G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDK05G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDK05G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2632 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 830 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |