IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 69.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 10nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDK06G65C5XTMA2 за ціною від 58.82 грн до 240.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK06G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDK06G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDK06G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 4934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDK06G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDK06G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V |
на замовлення 3124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDK06G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |