Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDK06G65C5XTMA2
IDK06G65C5XTMA2

IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.35 грн
2000+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 10nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IDK06G65C5XTMA2 за ціною від 75.33 грн до 217.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDK06G65C5XTMA2 IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDK06G65C5_DS_v02_01_EN-1731496.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+199.65 грн
10+148.86 грн
100+92.88 грн
500+77.52 грн
1000+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.51 грн
10+135.85 грн
100+101.03 грн
500+81.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 IDK06G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 IDK06G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 Infineon_IDK06G65C5_DS_v02_01_EN-1731496.pdf
IDK06G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.65 грн
10+148.86 грн
100+92.88 грн
500+77.52 грн
1000+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a
IDK06G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.51 грн
10+135.85 грн
100+101.03 грн
500+81.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK06G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a
IDK06G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.