IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 75.40 грн |
| 2000+ | 67.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 10nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDK06G65C5XTMA2 за ціною від 54.76 грн до 223.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDK06G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 4934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDK06G65C5XTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDK06G65C5XTMA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO263-2 Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IDK06G65C5XTMA2 | Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDK06G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.42 грн |
| 10+ | 143.47 грн |
| 100+ | 89.51 грн |
| 500+ | 74.71 грн |
| 1000+ | 72.60 грн |
| IDK06G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 214.62 грн |
| 10+ | 134.86 грн |
| 100+ | 97.85 грн |
| 500+ | 71.62 грн |
| 1000+ | 54.76 грн |
| IDK06G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 10+ | 139.66 грн |
| 100+ | 103.86 грн |
| 500+ | 83.51 грн |
| IDK06G65C5XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




