IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.44 грн |
| 10+ | 163.56 грн |
| 100+ | 114.80 грн |
| 500+ | 96.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDK08G120C5XTMA1 за ціною від 142.13 грн до 413.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|