Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDK08G120C5XTMA1
IDK08G120C5XTMA1

IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+114.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDK08G120C5XTMA1 за ціною від 111.38 грн до 326.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDK08G120C5XTMA1 IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.24 грн
10+206.55 грн
100+144.97 грн
500+111.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 IDK08G120C5XTMA1 INFINEON 3154655.pdf Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 IDK08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDK08G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 Infineon-IDK08G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e3bf0d8a10f3e
IDK08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.24 грн
10+206.55 грн
100+144.97 грн
500+111.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 3154655.pdf
IDK08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G120C5XTMA1 Infineon_IDK08G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361591.pdf
IDK08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.