IDK08G120C5XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 194.98 грн |
| 500+ | 170.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK08G120C5XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IDK08G120C5XTMA1 за ціною від 162.76 грн до 395.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 22.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; PG-TO263-2; 126W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.25V Case: PG-TO263-2 Kind of package: reel; tape Leakage current: 14µA Max. forward impulse current: 60A Power dissipation: 126W кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IDK08G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 8A; PG-TO263-2; 126W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.25V Case: PG-TO263-2 Kind of package: reel; tape Leakage current: 14µA Max. forward impulse current: 60A Power dissipation: 126W |
товар відсутній |