IDK08G65C5XTMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDK08G65C5XTMA1 - IDK08G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 174.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK08G65C5XTMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK08G65C5XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK08G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IDK08G65C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 650 V |
товару немає в наявності |