Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDK08G65C5XTMA2
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.03 грн
10+ 180.98 грн
100+ 146.42 грн
500+ 122.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A.

Інші пропозиції IDK08G65C5XTMA2 за ціною від 112.54 грн до 270.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDK08G65C5_DS_v02_01_EN-3163525.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.37 грн
10+ 223.62 грн
100+ 157.16 грн
250+ 148.5 грн
500+ 139.85 грн
1000+ 119.2 грн
2000+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 130223364413734infineon-idk08g65c5-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a304342e8be2c0142fb9.pdf 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
товар відсутній
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
товар відсутній