Продукція > INFINEON > IDK08G65C5XTMA2
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2 INFINEON


INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK08G65C5XTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDK08G65C5XTMA2 за ціною від 94.43 грн до 308.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.44 грн
10+130.25 грн
100+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDK08G65C5_DS_v02_01_EN-1731467.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.78 грн
10+203.62 грн
25+172.71 грн
100+129.89 грн
250+127.72 грн
500+108.85 грн
1000+101.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.49 грн
10+195.55 грн
100+137.70 грн
500+106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 130223364413734infineon-idk08g65c5-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a304342e8be2c0142fb9.pdf 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.