IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies


Infineon_IDK08G65C5_DS_v02_01_EN-1731467.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.24 грн
10+205.93 грн
25+174.67 грн
100+131.37 грн
250+129.17 грн
500+110.09 грн
1000+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A.

Інші пропозиції IDK08G65C5XTMA2 за ціною від 107.27 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.00 грн
10+197.77 грн
100+139.27 грн
500+107.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 130223364413734infineon-idk08g65c5-ds-v02_00-en.pdffileiddb3a304342e8be2c0142fb9.pdf 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.