Продукція > INFINEON > IDK08G65C5XTMA2
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2 INFINEON

INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK08G65C5XTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDK08G65C5XTMA2 за ціною від 85.99 грн до 281.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.46 грн
10+165.39 грн
100+115.86 грн
500+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.60 грн
10+174.33 грн
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDK08G65C5_DS_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.23 грн
10+181.56 грн
100+112.77 грн
500+92.33 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 Infineon-IDK08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fb993f814e2e
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+262.46 грн
10+165.39 грн
100+115.86 грн
500+96.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+265.60 грн
10+174.33 грн
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 Infineon_IDK08G65C5_DS_v02_01_EN.pdf
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+281.23 грн
10+181.56 грн
100+112.77 грн
500+92.33 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.