IDK09G65C5XTMA2 Infineon Technologies
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 204.37 грн |
| 500+ | 196.23 грн |
| 1000+ | 185.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK09G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.6 mA @ 650 V.
Інші пропозиції IDK09G65C5XTMA2 за ціною від 185.05 грн до 204.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDK09G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 5th Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IDK09G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
 |
IDK09G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.6 mA @ 650 V |
товару немає в наявності |