IDK10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A PGTO26321
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.9A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 325.46 грн |
| 10+ | 207.45 грн |
| 100+ | 147.56 грн |
| 500+ | 130.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A PGTO26321, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 31.9A, Supplier Device Package: PG-TO263-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDK10G120C5XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK10G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDK10G120C5XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)