IDK10G120C5XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 228.60 грн |
| 500+ | 202.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK10G120C5XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDK10G120C5XTMA1 за ціною від 134.63 грн до 428.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.9A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 31.9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode
Package TO-263 real 2pin
Qualification Industrial
|
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IDK10G120C5XTMA1 | 1200 V Silicon Carbide Schottky diode
Package TO-263 real 2pin
Qualification Industrial
|
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 31.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDK10G120C5XTMA1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IDK10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.9A Supplier Device Package: PG-TO263-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |