IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 105.47 грн |
| 2000+ | 99.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDK10G65C5XTMA2 за ціною від 88.05 грн до 382.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDK10G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDK10G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 7544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDK10G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A |
на замовлення 21207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDK10G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDK10G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |