IDK10G65C5XTMA2

IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies


Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3 Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+108.80 грн
2000+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IDK10G65C5XTMA2 за ціною від 104.82 грн до 402.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies 136202402232007dgdlfolderiddb3a30431d8a6b3c011dbeca72db281afileiddb3a304342e8be2.pdf 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+119.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Виробник : INFINEON INFNS29238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+232.61 грн
500+203.24 грн
1000+160.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.59 грн
10+193.68 грн
100+136.81 грн
500+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_01-EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.96 грн
10+218.22 грн
100+133.90 грн
500+122.42 грн
1000+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Виробник : INFINEON INFNS29238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.56 грн
10+303.85 грн
100+232.61 грн
500+203.24 грн
1000+160.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Виробник : Infineon Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.