Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDK10G65C5XTMA2
IDK10G65C5XTMA2

IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+106.37 грн
2000+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDK10G65C5XTMA2 за ціною від 97.97 грн до 298.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3 Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.10 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3 Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.51 грн
10+164.46 грн
100+129.10 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDK10G65C5_DS_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.45 грн
10+165.35 грн
100+113.48 грн
500+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
на замовлення 21207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.14 грн
10+189.36 грн
100+133.76 грн
500+115.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Infineon Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
IDK10G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+129.10 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
IDK10G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+284.51 грн
10+164.46 грн
100+129.10 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Infineon_IDK10G65C5_DS_v02_01_EN.pdf
IDK10G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+289.45 грн
10+165.35 грн
100+113.48 грн
500+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
IDK10G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
на замовлення 21207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.14 грн
10+189.36 грн
100+133.76 грн
500+115.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 Infineon-IDK10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fbfb87cd4ed3
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.