Продукція > INFINEON > IDK12G65C5XTMA2
IDK12G65C5XTMA2

IDK12G65C5XTMA2 INFINEON

INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+169.39 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDK12G65C5XTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 18nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IDK12G65C5XTMA2 за ціною від 113.48 грн до 360.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDK12G65C5_DS_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.03 грн
10+206.69 грн
100+140.97 грн
500+131.80 грн
1000+113.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDK12G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fc0b73ae4ef3 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.37 грн
10+217.16 грн
100+154.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.17 грн
10+239.29 грн
100+169.39 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 Infineon_IDK12G65C5_DS_v02_01_EN.pdf
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+333.03 грн
10+206.69 грн
100+140.97 грн
500+131.80 грн
1000+113.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 Infineon-IDK12G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142fc0b73ae4ef3
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2632
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+339.37 грн
10+217.16 грн
100+154.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+360.17 грн
10+239.29 грн
100+169.39 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.