IDK16G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 589.94 грн |
| 10+ | 385.83 грн |
| 100+ | 282.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK16G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDK16G120C5XTMA1 за ціною від 477.17 грн до 743.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDK16G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDK16G120C5XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 743.36 грн |
| 10+ | 663.03 грн |
| 25+ | 549.76 грн |
| 100+ | 477.17 грн |