IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 303+ | 73.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDL02G65C5XUMA1 за ціною від 74.28 грн до 74.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDL02G65C5XUMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDL02G65C5XUMA1 - IDL02G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IDL02G65C5XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 2A 4-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IDL02G65C5XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |