IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.09 грн |
| 10+ | 87.17 грн |
| 100+ | 58.48 грн |
| 500+ | 49.51 грн |
| 1000+ | 40.33 грн |
| 3000+ | 36.23 грн |
| 6000+ | 35.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 4nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDL02G65C5XUMA2 за ціною від 31.85 грн до 120.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGVSON4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 4nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 4nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGVSON4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |