IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 113.02 грн |
| 10+ | 92.00 грн |
| 100+ | 61.72 грн |
| 500+ | 52.25 грн |
| 1000+ | 42.57 грн |
| 3000+ | 38.24 грн |
| 6000+ | 37.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDL02G65C5XUMA2 за ціною від 42.35 грн до 149.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 2A 4-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |