IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.37 грн |
| 10+ | 87.40 грн |
| 100+ | 58.64 грн |
| 500+ | 49.64 грн |
| 1000+ | 40.44 грн |
| 3000+ | 36.33 грн |
| 6000+ | 35.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL02G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGVSON4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDL02G65C5XUMA2 за ціною від 31.94 грн до 115.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGVSON4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDL02G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGVSON4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |