IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції IDL04G65C5XUMA2 за ціною від 56.60 грн до 190.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDL04G65C5XUMA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDL04G65C5XUMA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDL04G65C5XUMA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 3591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDL04G65C5XUMA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDL04G65C5XUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSONtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 7nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDL04G65C5XUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSONtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDL04G65C5XUMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 163+ | 86.88 грн |
| IDL04G65C5XUMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 127.07 грн |
| 10+ | 116.43 грн |
| 25+ | 114.59 грн |
| 100+ | 98.67 грн |
| 250+ | 90.45 грн |
| 500+ | 74.47 грн |
| IDL04G65C5XUMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGVSON4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.63 грн |
| 10+ | 118.42 грн |
| 100+ | 81.16 грн |
| 500+ | 61.21 грн |
| 1000+ | 56.60 грн |
| IDL04G65C5XUMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDL04G65C5XUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDL04G65C5XUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDL04G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





