IDL08G65C5XUMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 163.01 грн |
| 10+ | 129.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL08G65C5XUMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDL08G65C5XUMA2 за ціною від 96.14 грн до 343.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 9096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDL08G65C5 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 8A 4-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDL08G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |