Продукція > INFINEON > IDL08G65C5XUMA2
IDL08G65C5XUMA2

IDL08G65C5XUMA2 INFINEON

INFN-S-A0002220236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+117.59 грн
500+88.57 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDL08G65C5XUMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDL08G65C5XUMA2 за ціною від 80.35 грн до 343.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 INFINEON INFN-S-A0002220236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.38 грн
10+168.57 грн
100+117.59 грн
500+88.57 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon_IDL08G65C5_DS_v02_01_EN-1131068.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.25 грн
10+185.62 грн
25+148.72 грн
100+121.23 грн
250+115.59 грн
500+99.38 грн
1000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.34 грн
10+297.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 INFN-S-A0002220236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL08G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+257.38 грн
10+168.57 грн
100+117.59 грн
500+88.57 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 Infineon_IDL08G65C5_DS_v02_01_EN-1131068.pdf
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+267.25 грн
10+185.62 грн
25+148.72 грн
100+121.23 грн
250+115.59 грн
500+99.38 грн
1000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+343.34 грн
10+297.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.