Продукція > INFINEON > IDL10G65C5XUMA2
IDL10G65C5XUMA2

IDL10G65C5XUMA2 INFINEON


Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.10 грн
500+138.27 грн
1000+126.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDL10G65C5XUMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDL10G65C5XUMA2 за ціною від 118.44 грн до 305.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDL10G65C5XUMA2 IDL10G65C5XUMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06 Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+299.54 грн
10+211.75 грн
100+160.10 грн
500+138.27 грн
1000+126.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDL10G65C5XUMA2 IDL10G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDL10G65C5_DS_v02_00_en-1131157.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.26 грн
10+228.54 грн
100+147.32 грн
500+127.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDL10G65C5XUMA2 IDL10G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.45 грн
10+203.73 грн
100+149.85 грн
500+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDL10G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDL10G65C5XUMA2 IDL10G65C5XUMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.