IDL10G65C5XUMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 163.27 грн |
| 500+ | 142.56 грн |
| 1000+ | 112.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL10G65C5XUMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: CoolSiC thinQ Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDL10G65C5XUMA2 за ціною від 112.34 грн до 314.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL10G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL10G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: CoolSiC thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL10G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDL10G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IDL10G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
товар відсутній |