IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 116.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDL12G65C5XUMA2 за ціною від 128.58 грн до 375.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
на замовлення 5777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDL12G65C5XUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|