Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM02G120C5XTMA1
IDM02G120C5XTMA1

IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IDM02G120C5XTMA1 за ціною від 55.41 грн до 275.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.33 грн
500+88.68 грн
1000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.72 грн
10+121.02 грн
100+96.33 грн
500+88.68 грн
1000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDM02G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3362214.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.70 грн
10+123.22 грн
100+85.13 грн
500+72.36 грн
1000+61.50 грн
2500+60.55 грн
10000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.45 грн
10+108.63 грн
100+74.29 грн
500+55.93 грн
1000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.66 грн
10+196.13 грн
25+190.10 грн
100+154.83 грн
250+141.95 грн
500+116.90 грн
1000+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+235.48 грн
58+211.22 грн
60+204.73 грн
100+166.74 грн
250+152.87 грн
500+125.89 грн
1000+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+275.20 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBA3490FE516FA8&compId=IDM02G120C5-DTE.pdf?ci_sign=39f02fd9a145e2170f3e498cb765e81a39c4fb99 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 1.2µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBA3490FE516FA8&compId=IDM02G120C5-DTE.pdf?ci_sign=39f02fd9a145e2170f3e498cb765e81a39c4fb99 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 31A
Leakage current: 1.2µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.