Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM02G120C5XTMA1
IDM02G120C5XTMA1

IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.55 грн
7500+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IDM02G120C5XTMA1 за ціною від 52.61 грн до 188.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.61 грн
132+107.04 грн
154+91.71 грн
250+87.54 грн
500+68.84 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.16 грн
145+97.67 грн
500+80.95 грн
1000+72.46 грн
2500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.22 грн
10+109.56 грн
50+83.12 грн
100+69.99 грн
500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.74 грн
10+109.17 грн
100+92.66 грн
500+75.25 грн
1000+65.06 грн
2500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.74 грн
130+109.17 грн
153+92.66 грн
500+75.25 грн
1000+65.06 грн
2500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.11 грн
10+128.61 грн
25+107.04 грн
100+88.43 грн
250+81.06 грн
500+66.08 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.61 грн
132+107.04 грн
154+91.71 грн
250+87.54 грн
500+68.84 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.16 грн
145+97.67 грн
500+80.95 грн
1000+72.46 грн
2500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.22 грн
10+109.56 грн
50+83.12 грн
100+69.99 грн
500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.74 грн
10+109.17 грн
100+92.66 грн
500+75.25 грн
1000+65.06 грн
2500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.74 грн
130+109.17 грн
153+92.66 грн
500+75.25 грн
1000+65.06 грн
2500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 infineon-idm02g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+188.11 грн
10+128.61 грн
25+107.04 грн
100+88.43 грн
250+81.06 грн
500+66.08 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 Infineon-IDM02G120C5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.