Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM02G120C5XTMA1
IDM02G120C5XTMA1

IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+46.01 грн
5000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDM02G120C5XTMA1 за ціною від 48.64 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.09 грн
500+59.41 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDM02G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3362214.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.72 грн
10+118.34 грн
100+81.76 грн
500+69.50 грн
1000+59.06 грн
2500+58.15 грн
10000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 25473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+97.74 грн
100+66.58 грн
500+49.96 грн
1000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+117.59 грн
100+80.09 грн
500+59.41 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+80.09 грн
500+59.41 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 Infineon_IDM02G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3362214.pdf
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.72 грн
10+118.34 грн
100+81.76 грн
500+69.50 грн
1000+59.06 грн
2500+58.15 грн
10000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 25473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+158.59 грн
10+97.74 грн
100+66.58 грн
500+49.96 грн
1000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+176.79 грн
10+117.59 грн
100+80.09 грн
500+59.41 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.