IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.66 грн |
| 7500+ | 41.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції IDM02G120C5XTMA1 за ціною від 52.84 грн до 188.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 32444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 7080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.24 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.61 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 129.18 грн |
| 132+ | 107.52 грн |
| 154+ | 92.12 грн |
| 250+ | 87.94 грн |
| 500+ | 69.15 грн |
| 1000+ | 55.88 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 142.80 грн |
| 145+ | 98.11 грн |
| 500+ | 81.31 грн |
| 1000+ | 72.78 грн |
| 2500+ | 62.71 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 32444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.97 грн |
| 10+ | 107.54 грн |
| 50+ | 81.59 грн |
| 100+ | 68.70 грн |
| 500+ | 54.89 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 188.57 грн |
| 10+ | 109.66 грн |
| 100+ | 93.07 грн |
| 500+ | 75.59 грн |
| 1000+ | 65.35 грн |
| 2500+ | 52.84 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 188.57 грн |
| 130+ | 109.66 грн |
| 153+ | 93.07 грн |
| 500+ | 75.59 грн |
| 1000+ | 65.35 грн |
| 2500+ | 52.84 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 188.95 грн |
| 10+ | 129.18 грн |
| 25+ | 107.52 грн |
| 100+ | 88.83 грн |
| 250+ | 81.42 грн |
| 500+ | 66.38 грн |
| 1000+ | 55.88 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




