IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 52.07 грн |
| 5000+ | 48.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDM02G120C5XTMA1 за ціною від 55.81 грн до 277.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM02G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 14A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 8882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 36657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 98W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDM02G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 31A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 98W Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Case: PG-TO252-2 |
товару немає в наявності |