IDM05G120C5XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 126.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDM05G120C5XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDM05G120C5XTMA1 за ціною від 79.99 грн до 432.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 Код товару: 180059
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |