IDM05G120C5XTMA1
Код товару: 180059
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDM05G120C5XTMA1 за ціною від 76.15 грн до 491.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |


