IDM05G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 98.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDM05G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDM05G120C5XTMA1 за ціною від 91.91 грн до 433.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDM05G120C5XTMA1 Код товару: 180059 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IDM05G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |