Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM08G120C5XTMA1
IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.99 грн
7500+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDM08G120C5XTMA1 за ціною від 67.03 грн до 257.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.42 грн
170+83.45 грн
178+77.05 грн
250+70.62 грн
500+67.41 грн
1000+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.91 грн
500+164.19 грн
1000+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.91 грн
500+164.19 грн
1000+151.20 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
10+161.84 грн
50+124.83 грн
100+105.95 грн
500+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+87.42 грн
170+83.45 грн
178+77.05 грн
250+70.62 грн
500+67.41 грн
1000+67.03 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.91 грн
500+164.19 грн
1000+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+181.91 грн
500+164.19 грн
1000+151.20 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.07 грн
10+161.84 грн
50+124.83 грн
100+105.95 грн
500+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 2354701.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 infineon-idm08g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 2354701.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.