IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDM08G120C5XTMA1 за ціною від 89.69 грн до 274.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.68 грн
500+110.84 грн
1000+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.74 грн
10+166.89 грн
100+116.91 грн
500+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.16 грн
10+182.46 грн
100+138.98 грн
500+114.01 грн
1000+102.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN-3361938.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.88 грн
10+180.06 грн
100+118.57 грн
500+105.65 грн
1000+98.81 грн
2500+89.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-idm08g120c5-ds-v02_00-en.pdf Rectifier Diode Schottky 1.2KV 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.