Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM08G120C5XTMA1
IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+94.88 грн
5000+86.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDM08G120C5XTMA1 за ціною від 78.94 грн до 339.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.07 грн
10+172.65 грн
100+106.43 грн
500+85.99 грн
1000+84.58 грн
2500+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 5636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.31 грн
10+189.59 грн
100+132.23 грн
500+101.11 грн
1000+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.61 грн
10+221.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 INFINEON 2354701.pdf Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 Infineon_IDM08G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.07 грн
10+172.65 грн
100+106.43 грн
500+85.99 грн
1000+84.58 грн
2500+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 5636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+301.31 грн
10+189.59 грн
100+132.23 грн
500+101.11 грн
1000+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 2354701.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+339.61 грн
10+221.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 2354701.pdf
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM08G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.