IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 129.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDM10G120C5XTMA1 за ціною від 122.38 грн до 393.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 41nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO252-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 4µA Max. forward impulse current: 84A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 223W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDM10G120C5XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO252-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 4µA Max. forward impulse current: 84A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 223W |
товару немає в наявності |