Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM10G120C5XTMA1
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+110.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDM10G120C5XTMA1 за ціною від 112.77 грн до 413.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.12 грн
500+130.57 грн
1000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.16 грн
10+214.62 грн
100+152.12 грн
500+130.57 грн
1000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.03 грн
10+211.81 грн
100+150.09 грн
500+120.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDM10G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.48 грн
10+218.85 грн
100+140.97 грн
500+120.53 грн
2500+112.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+413.79 грн
53+271.06 грн
100+209.02 грн
500+180.28 грн
2500+163.21 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+152.12 грн
500+130.57 грн
1000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+323.16 грн
10+214.62 грн
100+152.12 грн
500+130.57 грн
1000+118.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+333.03 грн
10+211.81 грн
100+150.09 грн
500+120.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 Infineon_IDM10G120C5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+349.48 грн
10+218.85 грн
100+140.97 грн
500+120.53 грн
2500+112.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+413.79 грн
53+271.06 грн
100+209.02 грн
500+180.28 грн
2500+163.21 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.