Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDM10G120C5XTMA1
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

infineon-idm10g120c5-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 41nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IDM10G120C5XTMA1 за ціною від 141.60 грн до 446.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+222.89 грн
500+211.93 грн
1000+199.75 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-cn.pdf Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.48 грн
10+241.63 грн
50+189.06 грн
100+161.54 грн
500+141.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon_idm10g120c5_datasheet_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+405.53 грн
10+208.07 грн
100+164.41 грн
500+144.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.09 грн
10+294.30 грн
50+263.61 грн
100+219.23 грн
500+175.77 грн
2500+163.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+446.09 грн
50+294.30 грн
56+263.61 грн
100+219.23 грн
500+175.77 грн
2500+163.35 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 INFINEON INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+222.89 грн
500+211.93 грн
1000+199.75 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-cn.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.48 грн
10+241.63 грн
50+189.06 грн
100+161.54 грн
500+141.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon_idm10g120c5_datasheet_en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.53 грн
10+208.07 грн
100+164.41 грн
500+144.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+446.09 грн
10+294.30 грн
50+263.61 грн
100+219.23 грн
500+175.77 грн
2500+163.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 infineon-idm10g120c5-datasheet-v02_01-en.pdf
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+446.09 грн
50+294.30 грн
56+263.61 грн
100+219.23 грн
500+175.77 грн
2500+163.35 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 INFN-S-A0008993719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDM10G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.