IDP08E65D1XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP08E65D1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDP08E65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 8 A, Einfach, 1.35 V, 51 ns, 64 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Durchlassstoßstrom: 64A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.35V, Sperrverzögerungszeit: 51ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: IDP08, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDP08E65D1XKSA1 за ціною від 43.11 грн до 143.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP08E65D1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE STANDARD 650V 8A TO2202Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 5037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDP08E65D1XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDP08E65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 8 A, Einfach, 1.35 V, 51 ns, 64 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Durchlassstoßstrom: 64A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 51ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: IDP08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDP08E65D1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDP08E65D1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDP08E65D1XKSA1 THT universal diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IDP08E65D1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE STANDARD 650V 8A TO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |