IDP20E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 20A; Ifsm: 60A; Ufmax: 2.2V; Ir: 40uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 32ns
Leakage current: 40µA
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 650V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 101.40 грн |
| 6+ | 73.66 грн |
| 10+ | 64.41 грн |
| 40+ | 49.58 грн |
| 50+ | 47.41 грн |
| 100+ | 42.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP20E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IDP20E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 2.2 V, 32 ns, 120 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Durchlassstoßstrom: 120A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.2V, Sperrverzögerungszeit: 32ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDP20E65D2XKSA1 за ціною від 26.58 грн до 157.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP20E65D2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDP20E65D2XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDP20E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 2.2 V, 32 ns, 120 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 32ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDP20E65D2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 650V 40A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|