IDP30E65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO220-2; 143W
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO220-2
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 143W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 149.84 грн |
| 5+ | 103.50 грн |
| 10+ | 90.78 грн |
| 50+ | 81.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP30E65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Current - Average Rectified (Io): 60A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IDP30E65D1XKSA1 за ціною від 47.01 грн до 224.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP30E65D1XKSA1 | Infineon Technologies |
Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDP30E65D1XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 60A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDP30E65D1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS
Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.19 грн |
| 10+ | 89.16 грн |
| 100+ | 69.71 грн |
| 500+ | 55.33 грн |
| 1000+ | 47.22 грн |
| 5000+ | 47.01 грн |
| IDP30E65D1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.40 грн |
| 50+ | 107.20 грн |
| 100+ | 96.66 грн |
| 500+ | 73.34 грн |