Продукція > INFINEON > IDP30E65D1XKSA1
IDP30E65D1XKSA1

IDP30E65D1XKSA1 INFINEON


INFN-S-A0000110243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP30E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Einfach, 1.7 V, 64 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 64ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Rapid 1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.92 грн
10+85.61 грн
100+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDP30E65D1XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDP30E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Einfach, 1.7 V, 64 ns, 180 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Durchlassstoßstrom: 180A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 64ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Rapid 1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDP30E65D1XKSA1 за ціною від 65.77 грн до 220.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDP30E65D1XKSA1 IDP30E65D1XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDP30E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493816a4eb19a2 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO220-2; 143W
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO220-2
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 143W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.17 грн
5+101.66 грн
10+89.16 грн
50+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E65D1XKSA1 IDP30E65D1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDP30E65D1_DataSheet_v02_01_EN-3361607.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.07 грн
10+108.27 грн
100+81.69 грн
500+73.38 грн
1000+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDP30E65D1XKSA1 IDP30E65D1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDP30E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493816a4eb19a2 Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.40 грн
50+105.29 грн
100+94.94 грн
500+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.