IDP30E65D1XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDP30E65D1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDP30E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Einfach, 1.7 V, 64 ns, 180 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Durchlassstoßstrom: 180A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 64ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Rapid 1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDP30E65D1XKSA1 за ціною від 70.69 грн до 227.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP30E65D1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO220-2; 143W Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 90A Kind of package: tube Power dissipation: 143W Features of semiconductor devices: fast switching |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IDP30E65D1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO220-2; 143W Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 90A Kind of package: tube Power dissipation: 143W Features of semiconductor devices: fast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDP30E65D1XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDP30E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Einfach, 1.7 V, 64 ns, 180 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Durchlassstoßstrom: 180A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 64ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Rapid 1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDP30E65D1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDP30E65D1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 64 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|