Продукція > Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні > IDT08S60C

IDT08S60C

INFNS12282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 86976
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IDT08S60C за ціною від 218.08 грн до 218.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDT08S60C IDT08S60C Infineon Technologies INFNS12282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+218.08 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDT08S60C INFNS12282-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDT08S60C
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+218.08 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.