IDV08E65D2XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.54 грн |
| 10+ | 58.29 грн |
| 25+ | 41.62 грн |
| 100+ | 38.49 грн |
| 500+ | 34.79 грн |
| 1000+ | 28.38 грн |
| 2500+ | 23.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDV08E65D2XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 650V 8A PGTO2202, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDV08E65D2XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDV08E65D2XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE STANDARD 650V 8A PGTO2202Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Full Pack Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |