IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDW10G65C5XKSA1 за ціною від 112.81 грн до 491.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 Код товару: 190599
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |