Продукція > Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні > IDW10G65C5XKSA1

IDW10G65C5XKSA1

IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc
Код товару: 190599
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IDW10G65C5XKSA1 за ціною від 137.81 грн до 560.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.73 грн
10+256.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.73 грн
55+256.84 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.30 грн
30+167.36 грн
120+137.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.57 грн
45+316.42 грн
100+267.47 грн
240+245.43 грн
480+216.19 грн
1200+182.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.00 грн
10+332.54 грн
100+281.10 грн
240+257.94 грн
480+227.21 грн
1200+191.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+560.18 грн
30+475.01 грн
50+361.06 грн
200+327.34 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDW10G65C5_DS_v02_02_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 INFINEON 1932622.pdf Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+269.73 грн
10+256.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+269.73 грн
55+256.84 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.30 грн
30+167.36 грн
120+137.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+361.57 грн
45+316.42 грн
100+267.47 грн
240+245.43 грн
480+216.19 грн
1200+182.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+380.00 грн
10+332.54 грн
100+281.10 грн
240+257.94 грн
480+227.21 грн
1200+191.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+560.18 грн
30+475.01 грн
50+361.06 грн
200+327.34 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 Infineon_IDW10G65C5_DS_v02_02_en.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 1932622.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.