Продукція > Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні > IDW10G65C5XKSA1

IDW10G65C5XKSA1

IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc
Код товару: 190599
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IDW10G65C5XKSA1 за ціною від 134.98 грн до 306.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.86 грн
30+163.92 грн
120+134.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDW10G65C5_DS_v02_02_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.86 грн
30+163.92 грн
120+134.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 Infineon_IDW10G65C5_DS_v02_02_en.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.