IDW10G65C5XKSA1
Код товару: 190599
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDW10G65C5XKSA1 за ціною від 110.08 грн до 343.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDW10G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|