IDW10G65C5XKSA1
Код товару: 190599
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDW10G65C5XKSA1 за ціною від 134.98 грн до 561.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 270.33 грн |
| 10+ | 257.41 грн |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 270.33 грн |
| 55+ | 257.41 грн |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.86 грн |
| 30+ | 163.92 грн |
| 120+ | 134.98 грн |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 362.38 грн |
| 45+ | 317.13 грн |
| 100+ | 268.07 грн |
| 240+ | 245.98 грн |
| 480+ | 216.67 грн |
| 1200+ | 182.43 грн |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 380.85 грн |
| 10+ | 333.29 грн |
| 100+ | 281.73 грн |
| 240+ | 258.52 грн |
| 480+ | 227.72 грн |
| 1200+ | 191.73 грн |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 561.43 грн |
| 30+ | 476.07 грн |
| 50+ | 361.87 грн |
| 200+ | 328.07 грн |
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDW10G65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





